● 8, 12인치 Dia : Dia 크기에 따라 두께 증가

● P(Positive) Type(Dopant Type)
 - Impurity(불순물) Doping 으로 전기적 특성을 부여
  · 3가 원소(B, Al, Ga) Doping으로 특성을 변화시킴
  · 양공이 전하 운반자임

● 저항 (Ω) : Impurity Doping 양이 증가하면 저항이 낮아짐

● 웨이퍼의 방향성 표시 방법
 - Notch
  · 가장자리에 작은 V자 모양의 홈을 만드는 것
  · 200 mm이상 대형 웨이퍼에서 주로 사용
 - Flat
  · 웨이퍼의 가장자리에 일정 길이의 평평한 부분을 만듬
  · Primary Flat 과 Secondary Flat 의 각도와 길이를 통해 웨이퍼의 종류와 도핑유형 구분

● Orientation : 1-0-0
 - 절단으로 결정 평면을 나타냄
 - 최근에는 절단 보다는 표시로 결정 평면을 나타냄
 - 이온 주입 방향을 선택

● Thermal Oxidation (산화막)
 - 고온에서 Silicon Wafer 를 산화시켜 SiO2 절연막을 성장시키는 공정
 - 장점 : 보호막(Surface Passivation), 불순물 제거(Surface Cleaning), 소자간 격리(Isolation)

● Grade
 - Prime Grade : 제품 양산용, High Quality / High Cost
 - Test Grade : 방비 유지 관리 및 엔지니어 실험 등, High Quality
 - Fallout Grade : 실험이나 교육목적 등

● 특수사양 Wafer 공정
 - LPCVD (Low Pressure Chemical Vapor Deposition) : Nitride, Poly-Silicon, Amorphous Silicon 양면 증착
 - PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) : Nitride, TEOS(Tetraethyl Orthosilicate), ACL(Amorphous Carbon Layer) 단면 증착
 - Metal Sputtering : Al, Cu, Ti 증착

● SK실트론

• Silicon Wafer , P -Type, 1-0-0 (Orientation)

Cat. No.	Model	Dia. (inch)	Thickness (um)	Resistivity (ohm)	Polishing Surface	Grade	Notch or Flat	PARTICLE
W04-171-801	SW8P008P	8	700-750	4~12	Single Side	PRIME	Notch
W04-171-804	SW8P010P			8~12			Flat
W04-171-807	SW8P014P			3~25	Double Side
W04-171-810	SW8P500TSN			1~50	Single Side	TEST	Notch
W04-171-813	SW8P500TSF						Flat
W04-171-816	SW8P500TDF				Double Side
W04-171-819	SW12P990F	12	750-800	1~99		Fallout	Notch	No COA
W04-171-822	SW12P030T		755-795	1~30		TEST		120nm 1000EA
W04-171-825	SW12P050T12		750-800	1~50				120nm 50EA
W04-171-828	SW12P050T05							50nm 50EA
W04-171-831	SW12P010P05			8~12		PRIME		50nm 30EA
W04-171-834	SW12P020P05			14~27				50nm 30EA

• Silicon Wafer, , P -Type, 1-0-0 (Orientation), Test Grade

Cat. No.	Model	Dia. (inch)	Thickness (um)	Resistivity (ohm)	Polishing Surface	Notch or Flat	Thermal Oxidation
W04-171-851	SSW8P500TND01	8	700-750	1~50ohm.cm	Single Side	Notch	0.1um with Dry (1,000Å)
W04-171-854	SSW8P500TND02						0.2um with Dry (2,000Å)
W04-171-857	SSW8P500TND03						0.3um with Dry (3,000Å)
W04-171-860	SSW8P500TNW03						0.3um with Wet (3,000Å)
W04-171-863	SSW8P500TNW05						0.5um with Wet (5,000Å)
W04-171-866	SSW8P500TNW10						1.0um with Wet (10,000Å)
W04-171-869	SSW8P500TNW15						1.5um with Wet (15,000Å)
W04-171-872	SSW8P500TNW20						2.0um with Wet (20,000Å)
W04-171-875	SSW8P500TFD01					Flat	0.1um with Dry (1,000Å)
W04-171-878	SSW8P500TFD02						0.2um with Dry (2,000Å)
W04-171-881	SSW8P500TFD03						0.3um with Dry (3,000Å)
W04-171-884	SSW8P500TFW03						0.3um with Wet (3,000Å
W04-171-887	SSW8P500TFW05						0.5um with Wet (5,000Å)
W04-171-890	SSW8P500TFW10						1.0um with Wet (10,000Å)
W04-171-893	SSW8P500TFW15						1.5um with Wet (15,000Å)
W04-171-896	SSW8P500TFW20						2.0um with Wet (20,000Å)
W04-171-899	SSW12N1000	12	750-800	1~100ohm.cm	Double Side	Notch	0.1um (1,000Å)
W04-171-902	SSW12N2000						0.2um (2,000Å)
W04-171-905	SSW12N3000						0.3um (3,000Å)
W04-171-908	SSW12N4000						0.4um (4,000Å)
W04-171-911	SSW12N5000						0.5um (5,000Å)

● Silicon Wafer, SiO₂는 주문 시, Thermal Oxidation 범위 내에서 선택해야함