● 4, 6, 8, 12인치 Dia : Dia 크기에 따라 두께 증가

● Dopant Type 구분 : Impurity(불순물) Doping 으로 전기적 특성을 부여
- P(Positive) Type
· 3가 원소(B, Al, Ga) Doping으로 특성을 변화시킴
· 양공이 전하 운반자임
- N(Negative)-Type
· 5가 원소(P) Doping으로 특성을 변화시킴
· 전자가 전하 운반자임

● 저항 (Ω) : Impurity Doping 양이 증가하면 저항이 낮아짐

● Orientation : 1-0-0
- 절단으로 결정 평면을 나타냄
- 최근에는 절단 보다는 표시로 결정 평면을 나타냄
- 이온 주입 방향을 선택

● Thermal Oxidation (산화막)
- 고온에서 Silicon Wafer 를 산화시켜 SiO₂ 절연막을 성장시키는 공정
- 장점 : 보호막(Surface Passivation), 불순물 제거(Surface Cleaning),
소자간 격리(Isolation)

● Grade
- Prime Grade : 제품 양산용, High Quality / High Cost
- Test Grade : 방비 유지 관리 및 엔지니어 실험 등, High Quality

● QL, SK실트론

• Silicon Wafer / 실리콘 웨이퍼

Cat. No.	Model	Dia. (inch)	Type	Thickness (um)	Resistivity (ohm)	Polishing Surface	Orientation	Grade
W04-171-601	SW4P005P	4	P	500-550	<0.005	Single Side	1-0-0	PRIME
W04-171-604	SW4N005P		N
W04-171-607	SW4P300T		P		1~30			TEST
W04-171-610	SW4P100P				1~10			PRIME
W04-171-613	SW4N100P		N
W04-171-621	SW6P005P	6	P	650-700	<0.005
W04-171-624	SW6N005P		N
W04-171-627	SW6P015P		P		0.01~0.02
W04-171-630	SW6N015P		N
W04-171-633	SW6P100P		P		1~10
W04-171-636	SW6N100P		N
W04-171-639	SW6P300T		P		1~30			TEST
W04-171-642	SW6N300T		N
W04-171-651	SW8P005P	8	P	700-750	<0.005			PRIME
W04-171-654	SW8P500T				1-50			TEST
W04-171-661	SW12P500TD	12				Double Side

• Silicon Wafer, SiO₂ / 산화막 증착 실리콘 웨이퍼

Cat. No.	Model	Dia. (inch)	Type	Thickness (um)	Resistivity (ohm)	Polishing Surface	Orientation	Grade	Thermal Oxidation
W04-171-701	SSW4P1000P	4	P	500-550	<0.005	Single Side	1-0-0	PRIME	1000A(=100nm)
W04-171-704	SSW4P2000P								2000A(=200nm)
W04-171-707	SSW4P3000P								3000A(=300nm)
W04-171-710	SSW4N1000P		N						1000A(=100nm)
W04-171-713	SSW4N2000P								2000A(=200nm)
W04-171-716	SSW4N3000P								3000A(=300nm)
W04-171-721	SSW6N1000P	6	P	650-700					1000A(=100nm)
W04-171-724	SSW6N2000P								2000A(=200nm)
W04-171-727	SSW6N3000P								3000A(=300nm)
W04-171-730	SSW6N1000P		N						1000A(=100nm)
W04-171-733	SSW6N2000P								2000A(=200nm)
W04-171-736	SSW6N3000P								3000A(=300nm)
W04-171-741	SSW8N005P	8	P	700-750					1000A ~ 2um
W04-171-744	SSW8N500T				1-50			TEST
W04-171-751	SSW12N1000TD	12		750-800	1-100	Double Side

● Silicon Wafer, SiO₂는 주문 시, Thermal Oxidation 범위 내에서 선택해야함